根据《江苏省科学技术奖励办法》（省人民政府令第186号）和《江苏省科学技术奖提名制实施办法（试行）》（苏科技规〔2018〕134号）有关规定，和2024年度省科学技术奖提名工作的要求，现对我单位拟参与申报江苏省科学技术奖的项目进行书面公示。
公示时间：2025年5月22日~2025年5月29日
公示内容：
项目名称：特高压高能效功率器件与高性能智能防护芯片关键技术研发及产业化
主要完成人(排序)：朱伟东；赵泊然；梁勤；曹元；王书昶，沈昱婷，刘振华；孙明光；刘伟伟；张惠国；王毅
主要完成单位(排序)：江苏应能微电子股份有限公司、扬州扬杰电子科技股份有限公司、河海大学、苏州工学院
知识产权和标准规范目录：
| 序号 | 知识产权（标准）类别 | 知识产权（标准）具体名称 | 国家（地区） | 授权号（标准编号） | 授权（标准发布）日期 | 证书编号（标准批准发布部门） | 权利人（标准起草单位） | 发明人（标准起草人） | 知识产权（标准）有效状态 |
| 1 | 发明专利 | 一种高压金属氧化物半导体终端区制造方法 | 中国 | ZL202010913071.6 | 2020-09-03 | 第4821424号 | 江苏应能微电子有限公司 | 李振道; 孙明光; 朱伟东 | 授权 |
| 2 | 发明专利 | 集成逆导二极管的可控硅瞬态电压抑制保护器件结构 | 中国 | ZL202110919920.3 | 2021-11-16 | 第4795027号 | 江苏应能微电子有限公司 | 朱伟东; 赵泊然 | 授权 |
| 3 | 发明专利 | 具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件及其制作方法 | 中国 | ZL202111281199.6 | 2022-03-01 | 第4970441号 | 江苏应能微电子有限公司 | 朱伟东; 赵泊然 | 授权 |
| 4 | 发明专利 | 一种碳化硅平面式功率半导体器件及其制作方法 | 中国 | ZL202110538857.9 | 2022-04-19 | 第5087959号 | 江苏应能微电子有限公司 | 李振道; 孙明光; 朱伟东 | 授权 |
| 5 | 发明专利 | 沟槽原位掺杂多晶硅可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件 | 中国 | ZL202111047854.1 | 2022-01-25 | 第4901472号 | 江苏应能微电子有限公司 | 朱伟东; 赵泊然 | 授权 |
| 6 | 发明专利 | 一种半导体场效应管器件 | 中国 | ZL202110792887.2 | 2021-09-28 | 第4705733号 | 江苏应能微电子有限公司 | 李振道; 孙明光; 朱伟东 | 授权 |
| 7 | 发明专利 | 一种碳化硅半导体器件及加工方法 | 中国 | ZL202111039336.5 | 2024-07-23 | 第7225261号 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 | 杨程; 赵耀; 王毅 | 授权 |
| 8 | 发明专利 | 一种IGBT低应力封装结构及制备方法 | 中国 | ZL202111500130.8 | 2024-09-24 | 第7403486号 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 | 赵成; 王毅 | 授权 |
| 9 | 发明专利 | 一种改善平面肖特基产品保护环区域ESD失效的方法 | 中国 | ZL2020 11517937.8 | 2023-08-01 | 第6198153号 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 | 陈维伟; 赵晓非; 杨亚峰; 杨正铭; 陆益; 王毅 | 授权 |
| 10 | 发明专利 | 一种钳位反相器PUF 的电路、电子装置及实现方法 | 中国 | ZL201810418940.0 | 2021-09-17 | 第4683091号 | 河海大学常州校区 | 曹元; 葛惟唯 | 授权 |
对公示内容有异议的单位或个人请在公示期内实名提出书面情况说明，写明异议内容，并应署其姓名、工作单位、联系地址。请将异议材料提交至本单位联系人。超出期限的异议不予受理。
联系人：时老师
联系电话：52251177
